对于P型半导体衬底。对表面反型层的电子来说，一边是绝缘层，一边是势垒（耗尽层空间电荷区的电场形成的）。由于反型层中的电子，被限制在表面附近、能量最低的一个狭窄区域，所以也称反型层为沟道。此时的表面反型层称之为N沟道。（1）所以这个对于表面反型层的电子来说，指的是？（2）还有个表面反型层的空穴？这样是？（3）这个一边是绝缘层，一边是势垒，这个一边指的是相对于表面反型层？具体是？（4）这儿的表面反型层也称之为N沟道，是因为？是P型半导体？其表面反型层主要由电子构成？（5）N沟道出来后，出来了个MOS晶体管，依然是P型半导体衬底的情形？（6）那么不是P型半导体衬底，能出来个什么晶体管？（7）这个MOS晶体管的种类？有多少？