对于P型半导体衬底。反型层出来后，可以简单作出反型层的能带图（含绝缘层禁带、费米能级、本征费米能级等）。接着可以以半导体内本征费米能级、费米能级二者之差，来表出形成反型层的条件。（1）所以耗尽层在表面，反型层也在表面？谁更表面？相对于什么的表面？具体怎么说？（2）有没有不在表面的耗尽层、反型层？（3）这个表面反型层的能带图，怎么作出的？怎么绝缘层禁带竖着？绝缘层不是在半导体上方？具体怎么说？（4）所以这个本征费米能级，就是一个分界线？以此来判断空穴、电子二者相比较的浓度大小？（5）所以费米能级先是在半导体内，此时费米能级在本征费米能级之下？（6）接着是费米能级到半导体表面，此时费米能级在本征费米能级之上？（7）所以这个形成反型层的条件，并不是一定如此的，而是有个区间？这个区间怎么取？具体怎么说？