对于P型半导体衬底。栅极（金属层）电压为负时，它会吸收空穴到半导体表面，这样半导体表面就出来带有正电荷的空穴积累层。栅极（金属层）电压为正时，一方面会（从半导体表面）排斥半导体中多数载流子空穴，一方面会吸引少数载流子电子到半导体表面。（1）所以吸收空穴到半导体表面的这个它，指的是？栅极（金属层）？（2）半导体表面出来空穴积累层，这个表面指的是靠近绝缘层的表面？怎么说？（3）所以栅极（金属层）为正电压、为负电压，都会对半导体中的载流子产生一定作用？（4）所以不论栅极是正电压、还是负电压，半导体的表面都会有载流子的浓度变动？这个半导体表面都是指的靠近绝缘层的表面？（5）那么这个带正电荷的空穴积累层，这个厚度？浓度？具体怎么说？（6）所以这儿的排斥、吸引，都是栅极（金属层）来排斥、吸引的？