绝缘体

第三代半导体风口下,长城抢占技术高地

发布时间:2022/7/18 15:52:57   
回想年,“缺芯”无疑是后疫情时期呈现最为频仍的一词。不过由缺芯诱发的罢工、减产、推迟委托、加价等连锁反映,在磨练车企应变能耐的同时,也倒逼了长城、丰田、比亚迪、蔚来、公众等车企的在半导体周围的布局。特别是在第三代半导体周围。12月29日,长城汽车与行业领先的第三代半导体企业——河北同光半导体股分有限公司(下列简称“同光股分”)签定计谋投资协定,正式进军第三代半导体中央资产。据引见,长城汽车这次做为领投方入股同光股分,将促成后者的碳化硅资产进展,聚焦第三代宽禁带半导体SiC(碳化硅)在新动力汽车资产的运用,驱策SiC半导体材料与芯片的资产化。甚么是第三代半导体?半导体是常温下导电功用介于导体与绝缘体之间的材料,现在从运用遍及的历程来区分,可分为第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料。不过第三代半导体与第一代、第二代并非彻底的迭取代换,它们在不同的周围均有着各自的上风,但在部份场景下,第三代半导体的功用照旧超过了第一代和第二代。譬如,第一代半导体中的Si(硅)仰仗崇高的功用、便宜的代价及老练的工艺,在大范围集成电路周围占有不成撼动的名望,是现在保守数字芯片、摹拟芯片、CPU、GPU的最佳取舍。而第三代半导体做为宽禁带半导体材料,则在其余方面具有诸多崇高的物理性格。以SiC为例,比拟保守的Si半导体材料,SiC占有3倍的禁带宽度、3倍的热导率、近10倍的击穿场强以及2倍的电子饱和漂移速度,是创造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的崇高半导体材料,合用于V乃至V以上的高温大电力周围,如新动力汽车、汽车快充充电桩、光伏和电网。协商讲明,在新动力汽车周围,采取SiC束缚计划也许带来下列四大大上风:1.擢升开关频次升高能耗。据相识,采取全SiC计划逆变器开关消耗降落80%,整车能耗升高5%-10%;2.收缩动力系统大伙模块尺寸,以丰田开采的碳化硅PCU为例,其体积仅为保守硅PCU的五分之一;3.在雷同续航环境下,应用更小电池,能淘汰无源器件应用,升高大伙物料成本。其余,在功率等第雷同的前提下,采取SiC器件可将电驱、电控等体积袖珍化,既能满意功率密度更高、策画更紧凑的需要,也能使电动车续航历程更长。4.收缩电池充电时光,采取SiC计划的电动车有着更高的充电功率和更小的电池,也许大幅收缩电动车充电时光。年将到达亿美元的商场范围早在年,特斯拉就在Model3的主逆变器中,装配了24个由意法半导体临盆的SiC-MOSFET功率模块,成为第一家在主逆变器中集玉成SiC功率器件的汽车厂商。那时,相较于ModelS上应用的IGBT模块,Model3所采取的SiC芯片也许为逆变器带来5-8%的效率擢升,逆变器效率可从82%擢升至90%,大幅改正续航能耐。别的,SiC器件在高温下的呈现也更好,哪怕到达度的高温,也能保持平常功率,保证永劫间的高效率输出。近三年时光昔时,SiC的应用也由此前的特斯拉一家,掘起至现在的寰球超出20家汽车厂商。行业剖析觉得,将来SiC的进展还将投入高速延长的时期。据Yole猜测,SiC器件运用空间将从年的6亿美金马上延长至年的亿美金。其余,华为也估计,时间伏逆变器的SiC浸透率将从现在的2%增至70%以上,在充电原形设备、电动汽车周围的浸透率将超出80%。在此配景下,国内企业正主动研发和探究SiC器件的资产化,并孕育了相对完备的SiC资产链体制。这次与长城签定计谋协定的同光股分,即是个中之一。长城将范围化运用SiC产物材料显示,同光股分创设于年,要紧从事碳化硅单晶的研发、制备和出售,企业产物涵盖直径4、6英寸高纯半绝缘和导电型碳化硅单晶衬底,是河北省范围最大,也是国内领先完结量产第三代半导体材料碳化硅单晶衬底的高科技企业。▲同光股分临盆的6英寸导电型衬底现在,同光股分占有碳化硅单晶成长炉余台,年产能为6万片。往年9月份,同光股分的第一个扩产项目——涞源工场已投入运转,据悉,同光股分将来还将计议设立至0台碳化硅晶体成长炉,达成设立后,其碳化硅单晶衬底年产能将可达60万片。这次,长城汽车投资同光股分,也是其促成计谋的严重布置。按照长城计议,到年,长城将完结寰球年销量万辆,个中80%为新动力汽车,将来五年,长城累计研发投入将到达0亿元。而大算力芯片和碳化硅等第三代半导体关键中央技能周围,则是长城汽车计谋中要点进展方位之一。长城汽车提议,要连接碳化硅、大算力芯片、消息合并等中央技能,在智能化以及新动力周围加大投入;在产物运用方面,由长城汽车崭新孵化的自力经营品牌——沙龙汽车,所公布的首款高端车型机甲龙已运用了碳化硅产物,同时,长城后续的系列车型也将范围化地运用SiC产物。预览时标签不成点收录于合集#个

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