静态随机存取存储器(SRAM)数据存储在晶体管中，需要恒定的功率流。动态随机存取存储器(DRAM)：数据存储在电容器中。它们都是集成电路RAM的模式，不过也有不同，例如SRAM比DRAM相对更快，因此SRAM用于高速缓存，而DRAM用于主存储器。SRAM的存储容量为1MB到16MB，而DRAM的存储容量为1GB至16GB。

RAM（RandomAccessMemory）是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器，一旦断电，数据就会丢失，因此被称为易失性存储器。在RAM中的读取和写入既简单又快速，并且通过电信号完成。

SRAM的定义

SRAM（静态随机存取存储器）由CMOS技术组成，使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成，用于存储数据（二进制），类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比DRAM等其他RAM类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。

DRAM的定义

DRAM（动态随机存取存储器）也是一种使用电容器和少量晶体管构成的RAM。电容器用于存储数据，其中位值1表示电容器已充电，位值0表示电容器已放电。电容器容易放电，导致电荷泄漏。

动态项表示即使在持续供电的情况下，电荷也会不断泄漏，这就是它消耗更多电力的原因。要长时间保留数据，需要反复刷新，这需要额外的刷新电路。由于泄漏电荷，即使打开电源，DRAM也会丢失数据。DRAM具有更高的容量并且更便宜。对于单个内存块，它只需要一个晶体管。

SRAM和DRAM之间的主要区别

SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此SRAM比DRAM快。

DRAM的存储容量更大，而SRAM的尺寸更小。

SRAM很贵，而DRAM很便宜。

高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。

DRAM高度密集。相反，SRAM比较少见。

由于使用了大量的晶体管，SRAM的结构很复杂。相反，DRAM易于设计和实现。

7.在SRAM中，单个内存块需要六个晶体管，而DRAM只需要一个晶体管用于单个内存块。

8.DRAM之所以被命名为动态的，是因为它使用的电容器会产生泄漏电流，因为电容器内部用于分隔导电板的电介质不是完美的绝缘体，因此需要电源刷新电路。另一方面，SRAM中不存在电荷泄漏的问题。

9.DRAM的功耗比SRAM高。SRAM的工作原理是改变通过开关的电流方向，而DRAM的工作原理是保持电荷。

结论

DRAM是SRAM的后代。DRAM旨在克服SRAM的缺点；设计人员减少了一位内存中使用的内存元件，从而显着降低了DRAM成本并增加了存储面积。但是，DRAM速度慢且比SRAM消耗更多功率，它需要在几毫秒内频繁刷新以保留电荷。