上期回顾

通过MOSFET器件结构的介绍和电学特性的分析，我们知道：

①MOSFET器件由导体-绝缘体-半导体三层结构组成。导体的一端为栅极（G），P型半导体基板上两块重掺杂的N型半导体分别是源级（S）和漏极（D），具体哪一端是S，哪一端是D，需要通过其所接电压的大小才能确定。

②直观的认识：当V_GV_TH为常数时，沟道中的电流I_D随着V_D的增大而增大；当V_D为常数时，沟道中的电流I_D随着V_G的增大而增大。

那具体I_D和V_G、V_D是什么关系呢？表达式是什么？V-I特性曲线长什么样？：）OK，请往下看

本文内容：

MOSFET的尺寸MOSFET的沟道的性质MOSFET的伏安特性I————————————————————————————————————

1、MOSFET的尺寸

Fig.2标出了我们所

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