书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体材料薄膜的生产工艺

编号：JFKJ-21-

作者：炬丰科技

摘要

制备单晶或多晶半导体材料薄膜的方法，其特征在于，它包括使具有平坦表面的阿瑟微导体材料晶片经历以下三个阶段:第一阶段，通过离子在所述晶片的体积中产生气体微泡层来对所述晶片的表面进行离子注入，在所述晶片的体积中限定构成衬底质量的下部区域和构成薄膜的上部区域,使所述晶片的平面与由至少一个刚性材料,层构成的加强件紧密接触为第二阶段，在高于离子轰击温度的温度下热处理所述晶片和所述加强件的组件为第三阶段。

发明概述

本文涉及一种生产半导体材料薄膜的工艺，这使得能够克服上述缺点而不需要与所选择的半导体不同性质的初始衬底，而不需要非常高的注入剂量或蚀刻停止，但仍然可以获得具有均匀、控制厚度的薄膜。这对薄膜的制备工艺具有一定的特点。其包括喷射具有平面且其平面的半导体材料晶圆与半导体材料完全单晶的半导体材料的相同指数的主晶平面略有倾斜。

至以下三个阶段：单晶半导体薄膜的主要应用是绝缘体上硅衬底、自支撑硅或碳化硅薄膜或隔膜。

实验

通过晶片表面的氢离子轰炸注入的第一阶段，以便在所述晶片的体积中深度接近所述晶片的平均穿透深度，一层在所述晶片的体积中定义构成大多数基底的下区域和构成薄半导体材料膜的上区域，其中植入过程中晶片的温度低于植入离子产生的气体可以通过扩散逃离半导体的温度，将所述晶片的平面与由至少一个刚性材料层构成的加强剂紧密接触的第二阶段；第三阶段，在超过离子轰击的温度下热处理所述晶片和所述硬片的组装，并且足以通过晶片中的晶体重排效应和微气泡中的压力效应，薄半导体材料膜与大多数基底之间的分离，晶片的表面保持密切接触。

总结

本文涉及一种较薄的半导体材料薄膜的生产工艺，优选地将电缆应用于单晶薄膜的生产。众所周知，生产单晶半离子导管薄膜有各种方法和工艺，虽然生产多晶或非晶材料薄膜相对容易，但生产单晶薄膜要困难得多。用于生产单晶po薄膜的方法中，用于生产称为“绝缘体基板上的硅”，其目的是生产位于与薄膜电绝缘的基板上的单晶硅膜。通过晶体生长，异质外延的方法使其生长成为可能。