关于P型半导体衬底。耗尽层出来后，接着是表面势（半导体表面相关于半导体内部的电势差）（下列足标为s的V表出）。正栅压增大，表面势就增多，因而就会出来反型层。（1）这边半导体表面取为x即是0，简捷云尔？无他？（2）于是这个半导体内的深度何如定？大于空间电荷区的厚度d的半导体内的界限？（3）于是半导体表面，相关于小于空间电荷区的厚度d的半导体深度，出不来表面势？（4）于是这个表面势的字母表出定名，依据是？（5）正栅压在多大界限内接续增大的话，表面势会增多？何如说？（6）于是出来反型层，首先是由于表面势变大？（7）表面势够大时，表面处的费米能级会投入带隙的上半部？（8）那末这个表面处的费米能级？表面处？（9）那末这个带隙上半部？这边的带隙散布、带隙宽度？详细何如说？（10）于是对P型半导体，出来反型层，即是说半导体表面的电子浓度大过了（素来该当浓度更大的）空穴？（11）于是这时的半导体表面载流子带电情景、半导体内导电情景，此两者相悖？（12）于是这个反型层的出来，做出简朴示企图是？详细何如说？