对于P型半导体衬底。要解出反型层的沟道中的一系列量子能级，需要用到个三角势垒（用平均电场代替变化的电场）。设定平行界面处为零，势能变化的表达式子就可以出来。于是垂直于平行界面方向的有效质量方程就出来了，可得出其解（Airy函数）、对应本征值。（1）所以叫这个势垒为三角势垒，是因为沟道会近似呈三角形？无他？（2）还可以出来朗道能级？在半导体表面同时加上垂直磁场就行了？（3）然后会出来什么情形？表面子带继续发生分裂？（4）于是就出来朗道能级？（5）朗道能级有个简并度，怎么出来的？具体怎么说？（6）所以这个朗道能级一般是由磁量子化的振荡现象得知的？（7）也可以在反型层中出来量子霍尔效应？（8）在反型层中出来量子霍尔效应，需要什么条件？（9）有个分数量子霍尔效应？具体怎么说？