对于P型半导体衬底。对这个N沟道，出来一个N沟道的MOS晶体管，是由MOS系统中加了两个N型扩散区（一个源区，一个漏区）得来的。由这两个区的位置，可得知源、漏之间相当于两个背靠背的PN结。在源、漏之间加一定电压时，没有明显电流；但电压超过一定范围，会出来导电沟道；继续加一定电压就会有明显的电流通过。（1）这个源区和漏区？具体指？（2）源区用S表出、漏区用D表出，是因为？具体怎么说？（3）所以源区、漏区，此二者还是在衬底（半导体）上？半导体表面？（4）由于源区、漏区各自只有一小部分（相比半导体），所以也就是说这两个区被P型区隔开了？（5）两个背靠背的PN结，是个什么情形？具体怎么说？（6）所以这个源、漏之间，指的是之间的非此二区的区域？还是？（7）所以在源、漏之间加一定电压，加在哪儿？具体怎么说？（8）所以这个MOS晶体管可以有导通、截止两种状态？导通就是有电流通过，截止就是没有？（9）所以这儿的MOS晶体管的栅压极性必须是正的？其他情形也可以为负？具体怎么说？（10）所以要实现这个MOS晶体管导通、截止两种状态，就要

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