光模块中的激光器，电泵浦半导体激光器，

二极管，是一个PN结，

半导体激光器，是p型半导体和n型半导体之间插入有源层，造成一个PIN型机关，有意候我们把半导体激光器，叫做激光二极管

咱每每看到的激光器简写LD，即是laserdiode，激光二极管，Y5T三期中的缩略语

由于光模块中的激光器，通罕用电泵浦，这就须要有正负电极

我即日看书，渴望管理的疑难有两个，

第一个疑难：金属和半导体来往，用于激光器的这类来往，与肖特基二极管的那种来往有甚么不同，（Y2T肖特基二极管）

获得的谜底：

用于激光的金属/半导体来往，渴望电流成功经过

用于肖特基二极管的金属/半导体来往，渴望有更猛烈的PN结功效，一个方位能经过，另一个方位能停止。

因而，金属和半导体之间的来往面要做特其余打算。（引出新的疑难，金属和半导体之间产生了甚么？）

第二个疑难：为甚么激光器正负电极用的金属材料不同样？，致使他们须要不同的金属镀膜工艺。

获得的谜底是，金属和P型半导体的来往，与金属与N型半导体来往，两者的势垒不同。

导体、半导体、半绝缘体、绝缘体的差别，主假如他们的电阻率不同

金属，是导体，里边有能够自在起伏的电子，俗称自在电子，它们在电场的影响下，能造成很好的电流，电流越顺畅的，电阻率越低

电子，带有负电荷

绝缘体，是随便形不行电流的物体。

半导体，是能造成电流，不过这个电流造成的不太顺畅，电阻率有点高

N型半导体，是有一些自在电子，有了外加电场就可以让电荷挪动。

P型半导体，是有一些空穴，有了外加电场也能够让电子在空穴方位上挪动，空穴陆续的替换场所，看起来就像空穴在挪动

金属：里边都是自在电子

N型半导体：里边有一些自在电子，一丁点的空穴

P型半导体：里边有一些空穴，和一丁点的自在电子

先说金属和N型半导体，没来往前，各是各的

来往后，

对电子来讲，有浓度差，自在电子们要从高浓度到低浓度，这是分散

对空穴来讲，也有浓度差

在金属和N型半导体之间，就造成一个势垒，对肖特基二极管来讲，渴望势垒越大越好，而关于我们不过用来做电极的半导体激光器来讲，这个势垒就越小越好。不要把电压徒劳在这个界面上

要下降界面电阻，电极用Au-Ge合金的话，再加一层Ni的金属层，能够提升与半导体的浸湿性，提升结协力度，两者分子充足来往，就下降了来往电阻

再者，在N型半导体之上，做一层重搀杂的N++层，让里边的自在电子数目更多，也即是电子浓度差别很小，分散的劲儿就不大，也下降了界面电阻

金属和N型半导体的欧姆来往，相对来讲好做。

但和P型半导体，就难一些，由于P型半导体中空穴多

金属和P型半导体之间的正负电荷的浓度差都变大了，他们界面造成的势垒，和金属/N型半导体来讲，更大

因而激光器的正电极和负电极比拟，更难做，

负电极能够用点低成本工艺来做，正电极就得用较量繁杂的工艺，力争下降来往电阻，还不引发靠得住性题目。

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