固体材料按照其导电特性可以分为导体、半导体和绝缘体三大类，既可以通过电子的填充能带理解，也可以通过材料的电阻率特性来区分。从第一代的硅、锗材料发展到第二代的砷化镓和磷化铟等材料，以及目前市场需求巨大的第三代宽禁带半导体碳化硅、氮化镓、金刚石等材料，说明半导体材料向宽禁带的发展越来越快，应用场合也从晶体管、集成电路等，拓展到通讯、激光、电力电子以及微波等领域。

在高温环境下由于禁带宽度大，其本征激发所需要的温度越高，这就大大提高了材料的工作温度，以硅和碳化硅作为比较，硅材料的极限温度为3OO℃，而碳化硅可以达到6OO℃以上［1，2］。在其他特性方面比如其热学特性，碳化硅的热导率为4．9W·cM－1·Ｋ－1，而硅材料仅有1．5W·cM－1·Ｋ－1，这就使得碳化硅等高热导率材料在一定工作温度范围内，无需增加散热装置，减小器件体积［3］。目前对于宽禁带半导体材料主要为碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓、氮化铝等材料，其禁带宽度都大于3eV。

由于其不同的材料特性，因此其应用环境有所侧重。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料中具有代表性的一员，正是在禁带宽度、载流子饱和迁移率、热导率、临界击穿场强、抗辐射能力等性质的优异表现，越来越受到产业界的广泛

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkzp/5437.html