首先大家先记住“N黑负”、“P红正”，即可以理解为“N-负极，黑色的”，“P-正极，红色的”。在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。

1、金属-氧化物-半导体构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

2、在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

3、MOSFET由诸如硅的半导体材料制成，半导体在导体和绝缘体之间具有导电性。为了使半导体成为良好的导体，会在纯晶体中引入两种类型的杂质，如果杂质是五价的，则所得的半导体为n型。在n型电子中，大多数电荷载流子。如果杂质是三价的，那么所得的半导体是p型的。在p型孔中，大多数电荷载流子。