材料名称：GaGeTe晶体

性质分类：拓扑绝缘体，半导体，红外材料，热电材料，

禁带宽度：0.2eV

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存

研磨成粉体后测试XRD

材料名称：GeBi2Te4晶体

性质分类：拓扑绝缘体，红外材料

禁带宽度：0.eV

合成方法：CVT

晶体结构：trigonal

剥离难易程度：易

材料名称：GeBi4Te7晶体

性质分类：拓扑绝缘体,红外材料，热电材料，相变材料

禁带宽度：0.eV

合成方法：CVT

晶体结构：trigonal

剥离难易程度：易

材料名称：GeSb4Te7晶体

性质分类：拓扑绝缘体,红外材料，相变材料，热电材料

禁带宽度：0.eV

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

相关产品：

Ta2Ni2Te2晶体

Ta2NiS5晶体

Ta2NiSe5晶体

Ta2NiTe5晶体

TaCo2Te2晶体

TaNi2Te2晶体