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碳化硅衬底可分为两类：
导电型衬底：指电阻率在15~30mΩ·cm的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通领域。
半绝缘型衬底指电阻率高于Ω·cm的碳化硅衬底，主要用于制造氮化镓微波射频器
件，是无线通讯领域的基础性零部件。
碳化硅导电型及半绝缘型衬底在电子器件和功率器件中的应用广泛，包括但不限于以下方面：
高功率半导体器件（导电型）：碳化硅衬底具有较高的击穿电场强度和热导率，适合用于制作高功率功率晶体管和二极管等器件。
射频电子器件（半绝缘型）：碳化硅衬底具有较高的开关速度和功率承受能力，适合用于射频功率放大器、微波器件和高频开关等应用。
光电子器件（半绝缘型）：碳化硅衬底具有较宽的能隙和较高的热稳定性，适合用于制作光电二极管、太阳能电池和激光二极管等器件。
温度传感器（导电型）：碳化硅衬底具有较高的热导率和热稳定性，适合用于制作高温传感器和测温仪器等。
碳化硅导电型及半绝缘型衬底的生产工艺与应用具有广泛的领域和潜力，为电子器件和功率器件的发展提供了新的可能性。#半导体#碳化硅导电型衬底