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雁门萨氏
萨支唐院士出生于雁门萨氏，雁门萨氏的历史可以追溯到元代，在元世祖经略吐蕃时期，萨氏先祖是辅佐有功的色目人（属西突厥部落葛罗禄）答失蛮，后在元代中期赐姓萨，又因家族出了一个非常著名的诗人和画家萨都剌出生于山西雁门，所以后世称雁门萨氏。萨都剌的侄子萨仲礼于年前往福建任职，就此定居福州，成为了雁门萨氏进入福建的老祖宗，这也是福建的萨氏都称自己是雁门萨氏的历史渊源。雁门萨氏在福建开枝散叶将近年，家族注重文化教育，人才辈出，在中国近代先后诞生了萨镇冰、萨福均、萨本栋等一批仁人志士，至萨支唐已传承18代。青出于蓝萨支唐之父萨本栋院士是国际著名物理学家、电机工程专家、教育家，于年出生于福建省闽侯县，年从北京清华学校毕业后进入美国斯坦福大学学习，年获得工学士学位后转入伍斯特理工学院学习，年获得伍斯特理工学院理学博士学位并担任伍斯特工学院研究助理、西屋电机制造公司工程师，年萨本栋应清华大学物理系主任叶企孙的聘请回国任物理学教授，年9月应邀为美国俄亥俄大学电机工程系客座教授，年8月，他将讲授的应用并矢方法解决电路的计算和分析加以总结，在美国电气工程师学会学报上发表了论文《应用于三相电路的并矢代数》，引起国际电工理论界的强烈反响，被认为是开拓了电机工程的一个新研究领域，年萨本栋被任命为国立厦门大学第一任校长，在抗日年代的战火纷飞中，他把厦大迁往闽西山区的长汀，经历物质、精神上的重重困难，使厦大有“抗战期间东南最佳大学”之誉。年当选为第一届中央研究院院士，年因积劳成疾在美国逝世，享年47岁。萨支唐之母黄淑慎女士于年3月出生。毕业于北京师范大学体育专业，并在清华大学担任体育教师，后随萨本栋院士到厦门大学义务担任体育指导员，在萨本栋院士辞世之后，黄淑慎女士在香港做家庭教师，以资助两个孩子在美国读书，在两个孩子都已经学业有成后，以四十多岁的年龄从头学起，先在伊利诺伊大学香槟分校攻读数学专业的硕士学位，后在宾州滑石大学教书，一直到年代初退休。萨支唐全家照（后排左一为萨支唐）出生于氏族大家、书香门第的萨支唐并没有被父母的光环所笼罩，而是努力勤奋，在产业、学术领域取得了举世瞩目的成绩，尤其是在集成电路领域提出的CMOS技术更是成为了全球集成电路发展史上的里程碑。CMOS工艺与萨支唐方程如果说集成电路芯片的发展是人类硅文明历史上的一朵最艳丽的花朵，那么CMOS技术就是过去数十年以来一直在滋养着这支娇艳花朵茁壮成长的最肥沃的养料，没有之一。在集成电路芯片诞生以来的精彩辉煌的数十年时间里，CMOS技术为低功耗集成电路打下了最为坚实的基础，并成为当今主流集成电路芯片的最为关键生产技术。可以说，如果没有CMOS工艺，就没有今天的集成电路（IC）制造业。从某种意义上来说，集成电路芯片技术的发展史就是一部CMOS工艺技术不断向前推进和发展的技术史。在MOS技术发明的第二年，也就是年，全球硅周期历史上的大杀器——CMOS技术诞生。年，萨支唐与仙童公司同事FrankWanlass一起发明了CMOS（互补MOS）半导体器件制造工艺。该工艺指出CMOS是由NMOS和PMOS的有机组合构成的逻辑器件，且静态电源功率密度低，工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。该器件在逻辑状态转换时才会产生大电流，在稳定状态时只有极小的电流通过。这一制造工艺的最大特点就是低功耗，此外还具有速度快、抗干扰能力强、集成密度高、封装成本逐渐降低等优点。简而言之，CMOS（ComplementaryMOS）技术就是把n-MOS和p-MOS连接成互补结构，两种极性的MOSFET一关一开，几乎没有静态电流，非常适于作为逻辑电路，因此CMOS集成电路首先就应用于实现布尔功能的数字电路。CMOS，只是指一种技术、一种工艺，而不是具体的某一种产品，这一制造工艺的最大特点就是低功耗，利用CMOS工艺技术可以制造出多种集成电路（IC）产品。为此，他们准备申请CMOS专利技术。随后，CMOS技术被申请了专利，专利号为，于年获得专利批准。萨支唐与FrankWanlass申请的技术专利截至目前，CMOS工艺几乎用于所有现代大规模集成电路和超大规模集成电路中。而在学术领域，萨支唐方程是每一个MOS半导体器件研究者都无法绕过的方程。MOS器件是MOS（金属-氧化物-半导体）场效应管的简称，在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件，其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起组成的。MOS晶体管性能的好坏是通过MOS晶体管输出电流－电压特性曲线进行衡量的，而关于MOS晶体管输出电流－电压特性的经典描述恰恰就是萨支唐方程。萨氏方程（萨支唐方程）除了萨支唐方程的产业、学术贡献以外，萨支唐还长期致力于微电子学研究，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。他提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论，开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型，发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法，发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。他还写了三卷教科书，《固态电子学基础》（FSSE），《FSSE研究指南》（）和《FSSE解决方案手册》（），为后来的半导体器件物理研究者提供了良好的学术参考。此外，他还编辑了晶体管紧凑模型和集成电路发明史方面10部专著，并由世界科学出版公司出版。他不仅是国际固态电子技术进展系列（ASSET）的创始编辑（），还在年至年期间被科学信息研究所（InstituteofScientificInformation）列为世界上被引用次数最多的名科学家之一。目前，萨支唐已发表了大约篇学术论文，应邀做了约次学术演讲，还为社会培养了大批半导体专业人才，堪称半导体器件和微电子学的学术“泰斗”。心系中华萨支唐院士虽然长期在美国进行学术研究，但是始终不忘祖国。在中国改革开放以后，萨支唐院士是最早与中国进行科技合作与交流的美国科学家之一。曾多次访华，作了20余次系列讲座，先后指导了12名中国研究生，还多次协助在中国举办国际学术研讨会，并在年当选为中国科学院外籍院士。为促进学术交流、推动科学研究，进一步培养中国的年轻人才，萨支唐于年成为厦门大学的名誉教授，又于年受聘担任厦门大学物理与机电工程学院全职教授，并自费将其毕生收藏的2万多本科研资料跨洋邮寄，捐赠给了厦门大学的萨本栋纪念图书室。萨支唐院士热心推动厦大的学科发展，多次莅校对半导体等学科建设进行指导，积极牵线搭桥为中国与世界知名学术机构和学者建立交流、合作关系，有力地推动了中国电子信息学科的发展。