场效应管和mos管区别如下：

1、主题不同

场效应管：V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。

MOS管：金属-氧化物-半导体场效应管属绝缘栅型。

2、特性不同

场效应管：MOS场效应管不仅继承了输入阻抗高(≥W)、驱动电流(约为0.1μA)，而且还具有耐压高(最高可耐压)、工作电流(1.5A~A)、输出功率高(约为W)、驱动电流(约0.1μA)等优良特性。

MOS管：其主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此有很高的输入电阻(最高可达Ω)。

3、规则不同

场效应管：功率晶体管的优点集于一身，因此在电压放大器(电压放大倍数达到数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器等方面得到了广泛的应用。

MOS管：当VGS=0时是处于截止状态，再加上正确的VGS，大部分载体会被吸引到栅极上，从而“加强”这一区域的载体，形成导电沟道。

延伸：

场效晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。可分为两类(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。大多数载流子参与导电，也称单极晶体管。本发明属电压控制半导体器件。其输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、无二次击穿、无二次击穿、安全工作区等特点，已成为双极型晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。

场效管(FET)是一种半导体装置，它利用电场效应控制输入回路电流，并以此命名。

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或称金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是N型区，在P型backgate中形成。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。