近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积（CVD）方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料，并将其成功应用于除雾器等电加热器件。相关研究成果以“Germanium-assistedDirectGrowthofGrapheneonArbitraryDielectricSubstratesforHeatingDevices”为题近期在Small上发表。

图1Ge蒸发和石墨烯形成时间的演变

a1-e1）在℃下在不同时间在SiO2/Si上生长的石墨烯的光学图像

a2-e2）作为生长时间函数的Ge峰强度的拉曼映射

a3-e3）石墨烯的I2D/IG比的拉曼映射

f）在℃下不同CVD时间的Ge的拉曼光谱

g）在℃下不同CVD时间的石墨烯的拉曼光谱

h）统计I2D/IG和ID/IG比值作为时间的函数

图2Ge蒸发和石墨烯形成与CVD温度的演变

a1-d1）在不同温度下在SiO2/Si上生长分钟的石墨烯的光学图像

a2-d2）作为温度的函数的Ge峰强度的拉曼映射

a3-d3）石墨烯I2D/IG比的拉曼映射

e）在不同温度下石墨烯生长分钟后的Ge的拉曼光谱

f）在不同温度下生长分钟的石墨烯的拉曼光谱

g）统计I2D/IG和ID/IG比值作为温度的函数

石墨烯，由于其优异的物理性质一直受到学术界的广泛

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lktp/177.html