对于P型半导体衬底。在反型层中会出现电子运动的量子化。电子在一个平行界面的二维平面内自由运动，在垂直于界面的方向上电子被限制在沟道内，这样就会出来量子化现象（垂直于界面的方向，会形成一系列量子能级）。于是可以出来某一能级在二维平面内的自由运动情形（由波数来标志），对这一系列能级，会得出一系列对应本征值（含波数）。（1）平行界面的二维平面内？这个是？具体是怎样的情形？怎么说？（2）所以电子是先在二维平面内自由运动，运动到垂直于界面方向上，就只能在沟道内运动？（3）所以垂直于界面的方向上，一个量子化能级，会对应出来一个子能带？是电子二维运动形成的子能带？（4）那么原本能带是？与子能带的关系图？（5）量子极限（电子只在最低能带）？这儿的特指？（6）MOS反型层要想成为理想二维电子气系统，就得有量子极限？（7）所以量子极限也有可以具体写出的条件？依据什么出来的？具体怎么说？