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击穿场强是衡量电缆附件绝缘运行可靠性的主要标准。各附件绝缘试样在工频下的击穿场强如图５所示。ＳＩＲ绝缘体内无晶相，橡胶分子链在非晶相中无规则排列，电荷输运相对容易。Ｓ１和Ｓ２试样的击穿场强比较接近，均在２４ｋＶ／ｍｍ左右，运行年限较久的Ｓ３和Ｓ４试样约为２０ｋＶ／ｍｍ，Ｓ４略高于Ｓ３试样。ＥＰＤＭ试样的击穿性能整体优于ＳＩＲ试样，结合图２知ＥＰＤＭ试样晶型良好，相比于无晶相的ＳＩＲ试样，其绝缘内载流子迁移通道形成难度更大。Ｅ２试样经历了击穿事故，分子结构破坏，但小分子物质出现重结晶现象，绝缘内部分无定型区向结晶区转化，晶体中分子链趋于规则排列，电荷输运变难，故击穿场强升高。

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体积电阻率直接影响绝缘内部的电场分布和击穿性能。在表３所示的体积电阻率结果中，各试样均满足ＧＢ／Ｔ１１０１７.３—２００２对橡胶料体积电阻率不小于１０１５Ω·ｃｍ的要求。ＳＩＲ的体积电阻率整体小于ＥＰＤＭ，这和两种绝缘自身不同的晶相结构等材料性质有关。ＳＩＲ和ＥＰＤＭ电缆附件的击穿场强和体积电阻率有较好的一致性，运行年限越长，绝缘分子结构破坏程度加深，电阻率越低，但重结晶反应对绝缘试样的体积电阻率有提升作用。运行年限相同时，取自中间接头的Ｓ４试样体积电阻率略高于取自电缆终端的Ｓ３试样。

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介电常数和介质损耗是绝缘材料的基本介电参数，直接影响绝缘运行时的温度场和电场分布。附件绝缘的介电常数和介质损耗频谱如图４所示，当频率升高时，偶极子极化和夹层极化过程来不及完成，所有样品的介电常数都随着频率增加而变小。绝缘试样的介损随频率的增加整体上升，且６个试样之间的介损差值不显著。

Ｅ２试样的介电常数最大，这和Ｅ２试样的附件经历的击穿事故有关，放电事故引入了Ｃ＝Ｏ和?ＯＨ等强极性基团，分子极性增强，导致其在电场作用下极化能力变强，介电常数增幅较大，这和ＦＴＩＲ及ＸＲＤ结果相对应。投运１年的Ｓ２试样介电常数和投运１１年的Ｅ１试样接近，猜测这和试样内填充较多的ＳｉＯ２颗粒有关，ＸＲＤ谱图中可知Ｓ２内无机成分变多，纳米填充物比例上升引入了更多偶极基团，使得偶极极化增强，故其介电常数略高。特别地，Ｓ３和Ｓ４运行年限都是７年，但Ｓ４试样取自中间接头，介电常数远大于其余电缆终端样品，这与中间接头在衔接、过渡作用中长期受到径向机械应力有关。由于运行中长期过盈配合的要求，中间接头要比电缆终端承受更大的机械应力，电热力联合作用下材料内部产生新的缺陷，极化能力增强。

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