绝缘体

npj形成焓的从头算误差协同纠正

发布时间:2022/10/20 14:31:14   
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在材料计算设计中,准确预测化合物的热力学稳定性至关重要,这主要依赖于形成焓的计算,即相对于元素参考相的焓变化。一般使用密度泛函理论(DFT)的不考虑压力-体积贡献的从头算方法。但当化合物和元素具有不同的化学特性时,例如在氧化物、氮化物或硫化物的情况下,情况变得复杂。对于氧化物,该化合物通常是离子绝缘体,而元素是金属或半导体和双原子气体时,当与实验焓相比时,DFT的标准近似导致几百meV/原子的平均绝对误差。

来自美国杜克大学的StefanoCurtarolo领导的团队,基于最近邻阳离子-阴离子键的数量,引入了一种完全主动的校正方案:“协调校正焓(CCE)”方案。使用三种校正计算方法:Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)、局部密度近似(LDA)和强约束和适当规范(SCAN)交换相关泛函的计算,结合准谐波Debye模型来协调校正71(7)三元氧化物(卤化物)的零点振动和热效应,分别给出了38(49),29(74)和27(24)meV/atom的MAE极为准确的校正形成焓。他们用准谐波Debye模型处理零点温度和有限温度的振动时,发现振动在很大程度上被消除了,误差比以前的方法要小得多。CCE得到精确的形成焓,平均绝对误差小至20-30meV/原子。该方法简单且易于扩展到其他体系,氮化物、磷化物或硫化物等材料。它可用于预测依赖于精确形成焓的各种性质,例如电池电压、缺陷能量和高熵材料的形成。由于CCE考虑了化学键连接和拓扑结构,因此它还可以纠正给定组分的不同结构的相对稳定性。

该文近期发表于npjComputationalMaterials5:59(),英文标题与摘要如下,点击左下角“阅读原文”可以自由获取论文PDF。

Coordinationcorrectedabinitioformationenthalpies

RicoFriedrich,DemetUsanmaz,CoreyOses,AndrewSupka,MarcoFornari,MarcoBuongiornoNardelli,CormacToherStefanoCurtarolo

Thecorrectcalculationofformationenthalpyisoneoftheenablersofab-initio

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