碲化物英文名叫telluride，是碲与金属或非金属的一种化合物，是一种无色、有恶臭的有毒气体；金属碲化物有碲化铜，难溶于水。应用于冶金冶炼领域。

用于STM实验的五碲化锆(ZrTe_5)样品制备：

步骤一：先将单晶样品用导电银胶粘在样品架上的铜片上，利用加热台在C下烘烤8分钟后银胶凝固，样品很好的固定在了铜片上。如图(a)所示，固定在铜片.上灰色的长方体是ZrTes单晶样品。

步骤二：然后将带有样品的铜片安装在样品架上,同样利用银胶将准备好的不锈钢螺丝钉粘在样品表面，再次在C下烘烤8分钟，样品成功的安装了样品架上，如图(b)所示。

步骤三：较后按照超高真空系统的进样品步骤将样品架送入系统，系统如图(c).在超高真空环境中室温下将样品解理,为STM实验提供一个本征的ZrTes表面。解理好的样品将迅速传送到处于低温环境中的扫描器中,进行STM实验研究。

STM实验样品的制作过程图。

ZrTes表面原子结构和电子态的STM/STS研究

图ZrTes表面沿着a轴的台阶。80K温度下延a轴台阶的STM照片:(由)U=+1VJI=PA,nmXnm,(b)U=+1V,I=PA，mmXnm;4.2K温度下表面单个直的台阶STM照片:(c)U=+1V、1=PA,60nmX60nm;(dU=+1.05V.I=PA,60nmX60nm

图(a)在ZfTes表面远离台阶边缘的台面上测试的微分电导(dI/dV谱)，U=+mV、1=PA、Vosc=5mV;(b)插图绿色正方形区域测试的8X8矩阵dI/dV谱

我们利用dI/dV谱研究了ZrTes样品表面的电子态信息。

图(a)是STM实验中得到的ZrTes表面一条典型的dI/dV谱，在费米面附近态密度为零，存在一个能隙。可以看到,能隙约为~80mV,价带顶和导带低分别位于~-35mV和~+45mV的位置。费米能级位于能隙之.中，稍微偏向价带，表明ZrTes表面是一个接近本征的半导体。这个结果会被下文的准粒子干涉结果分析再一次证实。ZrTes表面dI/dV的特征和密度泛函理论所计算的结果一致。

在ZrTes能隙中没有观察到其它的电子态，这个结果符合弱拓扑绝缘体的模型;如果是强拓扑绝缘体，由于表面态的存在使得能隙中会有电子态存在.为了更有说服力和测试样品的结晶质量,我们在较大的样品表面区域进行研究。

图(b)是在ZrTes表面的台面上测试的--组dI/dV谱，测试区域如插图形貌图中的绿色方框所示，所有的谱基本具有一致的特征，费米面附近态密度为零,更好的说明了所测试的样品的半导体性质，也说明生长的ZrTes单晶具有高的结晶质量。因此，能够确定ZrTes表面具有一个绝缘的体能隙。

Sb2Te3碲化锑(III)

As2Te3碲化砷(III)

CdTe碲化镉

Cd.Te.Zn碲锌镉

Cr2Te3碲化铬(III)

Cu2Te碲化亚铜(I)

CuTe碲化铜(II)

CuTe2碲化铜(IV)

GaTe碲化镓(II)

GeTe碲化锗(II)

HfTe2碲化铪

In2Te3碲化铟

PbTe碲化铅(II)

MnTe碲化锰

MnTe2碲化锰(IV)

CdTeHg碲镉汞

HgTe碲化汞(II)

Ag2Te碲化银(I)

SeTe2碲化硒

SnTe碲化锡(II)

WTe2二碲化钨

ZnTe碲化锌

ZrTe2碲化锆

TeO2二氧化碲

Bi2Te3碲化铋

碲化硒铋

碲化烯

Ga2Te3碲化镓

碲化钴

碲化铁

碲化镓铊

碲化钨

S3Ti硫化钛

碲化钽

PbBi2Te4碲铅铋矿

二碲化钼

AuTe2碲金矿

二碲化钛

三碲化锆

碲化物

二碲化三铁（锗掺杂）

碲化锗

SnTe碲化锡

二碲化钽

碲化砷

二碲化铂

碲化硒镓

二碲化钯

三碲化砷

二碲化铪

钛合金-二碲化铋

碲化铁铜

二碲化铌

二碲化锡

二碲化锆

AuAg3Te2碲金银矿

AuPb2BiTe2S硫碲铋铅金矿

Bi2Te2S辉碲铋矿

Ag2Te碲化银

Al2Te3碲化铝

PbTe碲化铅

碲化镁

NiTe碲化镍

碲化硅

CuTe碲化亚铜

BiSbTe碲锑铋

GeSbTe碲锑锗

PbSnTe碲锡铅